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IRL510STRL |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | Vishay Siliconix | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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IRL510STRL参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK 包装数量：800 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：100V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：540 毫欧 @ 3.4A，5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 25V 功率 - 最大值：3.7W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 芯片电阻 - 表面Y14740R00500B0W PMIC - MOMC33152VDR2 芯片电阻 - 表面RC0402FR-0782RL 热缩管Q-150K-1-01-QB48IN-5 Card EdgeRBM25DRXH PMIC - 稳压ISL9014IRJMZ-T 时钟/计时 - 时ADF4156BCPZ-RL Card EdgeEMM36DRMN FET - 单IPP600N25N3G FFC，FPC（扁SFV31R-1STE1 |
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